Антава

INFINEON

Транзистор FS75R12W2T4B11BOMA1

Type of semiconductor module
IGBT
Semiconductor structure
transistor/transistor
Topology
IGBT three-phase bridge, NTC thermistor
Max. off-state voltage
1.2 kV
Collector current
75 A
Корпус
AG-EASY2B-2
Цены и наличиеВсе характеристики

Добавим фотографию после подтверждения источника.

Цена и предложение

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяFS75R12W2T4B11BOMA1
ПроизводительINFINEON
Type of semiconductor moduleIGBT
Semiconductor structuretransistor/transistor
TopologyIGBT three-phase bridge, NTC thermistor
Max. off-state voltage1.2 kV
Collector current75 A
КорпусAG-EASY2B-2
Electrical mountingPress-in PCB
Gate-emitter voltage±20 V
Pulsed collector current150 A
Рассеиваемая мощность375 W
ТехнологияEasyPACK™ 2B
Mechanical mountingscrew
Исходное описание поставщика

Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT three-phase bridge

Документация

Документы пока не предоставлены.