Антава

ONSEMI

Транзистор FQU9N25TU

Фото уточняется
Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
250 V
Drain current
4.7 A
Pulsed drain current
29.6 A
Power dissipation
55 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяFQU9N25TU
ПроизводительONSEMI
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage250 V
Drain current4.7 A
Pulsed drain current29.6 A
Power dissipation55 W
КорпусIPAK
Gate-source voltage±30 V
On-state resistance0.42 Ω
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge20nC
Kind of packagetube
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 4.7A; Idm: 29.6A; 55W; IPAK

Документация

Документы пока не предоставлены.