Антава

ONSEMI

Транзистор FQU5N50CTU-WS

Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
500 V
Drain current
2.4 A
Pulsed drain current
16 A
Power dissipation
48 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Добавим фотографию после подтверждения источника.

Цена и заказ

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяFQU5N50CTU-WS
ПроизводительONSEMI
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage500 V
Drain current2.4 A
Pulsed drain current16 A
Power dissipation48 W
КорпусIPAK
Gate-source voltage±30 V
On-state resistance1.4 Ω
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge24nC
Kind of packagetube
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 2.4A; Idm: 16A; 48W; IPAK

Документация

Документы пока не предоставлены.