Антава

ONSEMI

Транзистор FQU4N50TU-WS

Фото уточняется
Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
500 V
Drain current
1.64 A
Pulsed drain current
10.4 A
Power dissipation
45 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяFQU4N50TU-WS
ПроизводительONSEMI
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage500 V
Drain current1.64 A
Pulsed drain current10.4 A
Power dissipation45 W
КорпусIPAK
Gate-source voltage±30 V
On-state resistance2.7 Ω
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge13nC
Kind of packagetube
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 1.64A; Idm: 10.4A; 45W; IPAK

Документация

Документы пока не предоставлены.