Антава

ONSEMI

Транзистор FQU2N90TU-WS

Фото уточняется
Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
900 V
Drain current
1.08 A
Pulsed drain current
6.8 A
Power dissipation
50 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяFQU2N90TU-WS
ПроизводительONSEMI
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage900 V
Drain current1.08 A
Pulsed drain current6.8 A
Power dissipation50 W
КорпусIPAK
Gate-source voltage±30 V
On-state resistance7.2 Ω
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge15nC
Kind of packagetube
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 1.08A; Idm: 6.8A; 50W; IPAK

Документация

Документы пока не предоставлены.