ONSEMI

Транзистор FQU1N80TU

IPAKИзображение корпуса

Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800 V
Drain current: 0.63 A
Pulsed drain current: 4 A
Power dissipation: 45 W

Цены и наличие Все характеристики

Добавим фотографию после подтверждения источника.

Цена и заказ

Обновить наличие

Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену +7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителя	FQU1N80TU
Производитель	ONSEMI
Type of transistor	N-MOSFET
Polarisation	unipolar
Drain-source voltage	800 V
Drain current	0.63 A
Pulsed drain current	4 A
Power dissipation	45 W
Корпус	IPAK
Gate-source voltage	±30 V
On-state resistance	20 Ω
Монтаж	THT — в отверстия
Gate charge	7.2nC
Kind of package	tube
Kind of channel	enhancement

Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 630mA; Idm: 4A; 45W; IPAK

Документация

Документы пока не предоставлены.