Антава

ONSEMI

Транзистор FQU1N60CTU

Фото уточняется
Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
600 V
Drain current
0.6 A
Pulsed drain current
4 A
Power dissipation
28 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяFQU1N60CTU
ПроизводительONSEMI
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage600 V
Drain current0.6 A
Pulsed drain current4 A
Power dissipation28 W
КорпусIPAK
Gate-source voltage±30 V
On-state resistance11.5 Ω
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge6.2nC
Kind of packagetube
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 600mA; Idm: 4A; 28W; IPAK

Документация

Документы пока не предоставлены.