Антава

ONSEMI

Транзистор FQT7N10LTF

FQT7N10LTF
Type of transistor
N-MOSFET
Technology
QFET®
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
100 V
Drain current
1.36 A
Power dissipation
2 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяFQT7N10LTF
ПроизводительONSEMI
Type of transistorN-MOSFET
TechnologyQFET®
Polarisationunipolar
Drain-source voltage100 V
Drain current1.36 A
Power dissipation2 W
КорпусSOT223
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance0.38 Ω
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge6nC
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 1.36A; 2W; SOT223

Документация

Документ производителя