Антава

ONSEMI

Транзистор FQT1N80TF-WS

FQT1N80TF-WS
Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
800V
Drain current
0.12A
Power dissipation
2.1W
Корпус
SOT223
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяFQT1N80TF-WS
ПроизводительONSEMI
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage800V
Drain current0.12A
Power dissipation2.1W
КорпусSOT223
Gate-source voltage±30V
On-state resistance20Ω
МонтажSMD — поверхностный
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 0.12A; 2.1W; SOT223

Документация

Документы пока не предоставлены.