Антава

ONSEMI

Транзистор FQT13N06TF

FQT13N06TF
Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
60 V
Drain current
2.24 A
Pulsed drain current
11.2 A
Power dissipation
2.1 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяFQT13N06TF
ПроизводительONSEMI
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage60 V
Drain current2.24 A
Pulsed drain current11.2 A
Power dissipation2.1 W
КорпусSOT223
Gate-source voltage±25 V
On-state resistance0.14 Ω
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge7.5nC
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 2.24A; Idm: 11.2A; 2.1W; SOT223

Документация

Документы пока не предоставлены.