Антава

ONSEMI

Транзистор FQPF6N80CT

FQPF6N80CT
Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
800V
Drain current
3.2A
Pulsed drain current
22A
Power dissipation
51W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяFQPF6N80CT
ПроизводительONSEMI
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage800V
Drain current3.2A
Pulsed drain current22A
Power dissipation51W
КорпусTO220FP
Gate-source voltage±30V
On-state resistance2.5Ω
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge30nC
Kind of packagetube
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 3.2A; Idm: 22A; 51W; TO220FP

Документация

Документы пока не предоставлены.