Антава

ONSEMI

Транзистор FQPF5N50CYDTU

FQPF5N50CYDTU
Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
500 V
Drain current
2.9 A
Pulsed drain current
20 A
Power dissipation
38 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяFQPF5N50CYDTU
ПроизводительONSEMI
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage500 V
Drain current2.9 A
Pulsed drain current20 A
Power dissipation38 W
КорпусTO220FP
Gate-source voltage±30 V
On-state resistance1.4 Ω
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge24nC
Kind of packagetube
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 2.9A; Idm: 20A; 38W; TO220FP

Документация

Документы пока не предоставлены.