Антава

ONSEMI

Транзистор FQPF32N20C

FQPF32N20C
Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
200 V
Drain current
17.8 A
Pulsed drain current
112 A
Power dissipation
50 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяFQPF32N20C
ПроизводительONSEMI
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage200 V
Drain current17.8 A
Pulsed drain current112 A
Power dissipation50 W
КорпусTO220FP
Gate-source voltage±30 V
On-state resistance82 mΩ
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge110nC
Kind of packagetube
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 17.8A; Idm: 112A; 50W; TO220FP

Документация

Документы пока не предоставлены.