Антава

ONSEMI

Транзистор FQPF2N80YDTU

FQPF2N80YDTU
Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
800 V
Drain current
0.95 A
Pulsed drain current
6 A
Power dissipation
35 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяFQPF2N80YDTU
ПроизводительONSEMI
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage800 V
Drain current0.95 A
Pulsed drain current6 A
Power dissipation35 W
КорпусTO220FP
Gate-source voltage±30 V
On-state resistance6.3 Ω
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge15nC
Kind of packagetube
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 950mA; Idm: 6A; 35W; TO220FP

Документация

Документы пока не предоставлены.