ONSEMI
Транзистор FQPF19N20C
- Type of transistor
- N-MOSFET
- Технология
- QFET®
- Polarisation
- unipolar
- Drain-source voltage
- 200 V
- Drain current
- 12.1 A
- Power dissipation
- 43 W
Фото справочное.
Цена и заказ
Обновить наличиеВариант поставкиДоступно к заказу 977 шт.
Цена и наличие обновляются Данные на
Последняя цена / шт. · с НДС 22%440,68 ₽
Сумма · с НДС 22%440,68 ₽
Оптовые цены и условия
| Количество | Цена / шт. | Выбор |
|---|---|---|
| от 1 | 440,68 ₽ | |
| от 5 | 317,21 ₽ | |
| от 10 | 233,64 ₽ | |
| от 50 | 201,35 ₽ |
Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.
Характеристики
| Артикул производителя | FQPF19N20C |
|---|---|
| Производитель | ONSEMI |
| Type of transistor | N-MOSFET |
| Технология | QFET® |
| Polarisation | unipolar |
| Drain-source voltage | 200 V |
| Drain current | 12.1 A |
| Power dissipation | 43 W |
| Корпус | TO220FP |
| Gate-source voltage | ±30 V |
| On-state resistance | 0.17 Ω |
| Монтаж | THT — в отверстия |
| Kind of package | tube |
| Kind of channel | enhancement |
Такого параметра нет.
Исходное описание поставщика
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 12.1A; 43W; TO220FP
Документация
Документы пока не предоставлены.
Корзина
Оформить заявкуОтправьте заявку на сайте. Её номер и статус появятся в личном кабинете.