ONSEMI
Транзистор FQPF19N20
Фото недоступно- Type of transistor
- N-MOSFET
- Polarisation
- unipolar
- Drain-source voltage
- 200V
- Drain current
- 7.5A
- Pulsed drain current
- 48A
- Power dissipation
- 50W
Фото справочное.
Цена и заказ
Обновить наличиеНаличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.
Характеристики
| Артикул производителя | FQPF19N20 |
|---|---|
| Производитель | ONSEMI |
| Type of transistor | N-MOSFET |
| Polarisation | unipolar |
| Drain-source voltage | 200V |
| Drain current | 7.5A |
| Pulsed drain current | 48A |
| Power dissipation | 50W |
| Корпус | TO220FP |
| Gate-source voltage | ±30V |
| On-state resistance | 0.15Ω |
| Монтаж | THT — в отверстия |
| Gate charge | 40nC |
| Kind of package | tube |
| Kind of channel | enhancement |
Такого параметра нет.
Исходное описание поставщика
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 7.5A; Idm: 48A; 50W; TO220FP
Документация
Документы пока не предоставлены.
Корзина
Оформить заявкуОтправьте заявку на сайте. Её номер и статус появятся в личном кабинете.