Антава

ONSEMI

Транзистор FQP9N90C

FQP9N90C
Type of transistor
N-MOSFET
Технология
QFET®
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
900 V
Drain current
2.8 A
Power dissipation
205 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие
Вариант поставкиДоступно к заказу 50 шт.

Цена и наличие обновляются Данные на

Последняя цена / шт. · с НДС 22%937,52 ₽

Сумма · с НДС 22%937,52 ₽

Проверяем актуальные условия

Оптовые цены и условия
КоличествоЦена / шт.Выбор
от 1937,52 ₽
от 10572,83 ₽
от 50498,36 ₽
от 100481,17 ₽

Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.

Характеристики

Артикул производителяFQP9N90C
ПроизводительONSEMI
Type of transistorN-MOSFET
ТехнологияQFET®
Polarisationunipolar
Drain-source voltage900 V
Drain current2.8 A
Power dissipation205 W
КорпусTO220AB
Gate-source voltage±30 V
On-state resistance1.4 Ω
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge58nC
Kind of packagetube
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 2.8A; 205W; TO220AB

Документация

Документ производителя