Антава

ONSEMI

Транзистор FQP9N30

FQP9N30
Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
300 V
Drain current
5.7 A
Pulsed drain current
36 A
Power dissipation
98 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяFQP9N30
ПроизводительONSEMI
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage300 V
Drain current5.7 A
Pulsed drain current36 A
Power dissipation98 W
КорпусTO220AB
Gate-source voltage±30 V
On-state resistance0.45 Ω
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge22nC
Kind of packagetube
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 300V; 5.7A; Idm: 36A; 98W; TO220AB

Документация

Документы пока не предоставлены.