Антава

ONSEMI

Транзистор FQP6N80C

FQP6N80C
Type of transistor
N-MOSFET
Технология
QFET®
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
800 V
Drain current
3.2 A
Рассеиваемая мощность
158 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и предложение

Обновить наличие
Вариант поставкиДоступно к заказу 89 шт.

Срок: 6–7 недель Данные на

Цена / шт. · с НДС 22%586,08 ₽

Сумма · с НДС 22%586,08 ₽

От 1 шт.

Без регистрации и оплаты. Менеджер подтвердит цену и срок поставки.

Оптовые цены и условия
КоличествоЦена / шт.Выбор
от 1586,08 ₽
от 5450,83 ₽
от 10390,72 ₽
от 50289,28 ₽
от 100270,50 ₽
от 250262,98 ₽

Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.

Характеристики

Артикул производителяFQP6N80C
ПроизводительONSEMI
Type of transistorN-MOSFET
ТехнологияQFET®
Polarisationunipolar
Drain-source voltage800 V
Drain current3.2 A
Рассеиваемая мощность158 W
КорпусTO220AB
Gate-source voltage±30 V
On-state resistance2.5 Ω
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge30nC
Kind of packagetube
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 3.2A; 158W; TO220AB

Документация

Документ производителя