Антава

ONSEMI

Транзистор FQP55N10

FQP55N10
Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
100 V
Drain current
38.9 A
Pulsed drain current
220 A
Power dissipation
155 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяFQP55N10
ПроизводительONSEMI
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage100 V
Drain current38.9 A
Pulsed drain current220 A
Power dissipation155 W
КорпусTO220AB
Gate-source voltage±25 V
On-state resistance26 mΩ
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge98nC
Kind of packagetube
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 38.9A; Idm: 220A; 155W

Документация

Документы пока не предоставлены.