Антава

ONSEMI

Транзистор FQP47P06

FQP47P06
Type of transistor
P-MOSFET
Technology
QFET®
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
-60V
Drain current
-33.2A
Power dissipation
160W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяFQP47P06
ПроизводительONSEMI
Type of transistorP-MOSFET
TechnologyQFET®
Polarisationunipolar
Drain-source voltage-60V
Drain current-33.2A
Power dissipation160W
КорпусTO220AB
Gate-source voltage±25V
On-state resistance26mΩ
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge110nC
Kind of packagetube
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -33.2A; 160W; TO220AB

Документация

Документ производителя