Антава

ONSEMI

Транзистор FQP3N60C

FQP3N60C
Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
600V
Drain current
1.8A
Pulsed drain current
12A
Power dissipation
75W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяFQP3N60C
ПроизводительONSEMI
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage600V
Drain current1.8A
Pulsed drain current12A
Power dissipation75W
КорпусTO220AB
Gate-source voltage±30V
On-state resistance3.4Ω
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge14nC
Kind of packagetube
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 1.8A; Idm: 12A; 75W; TO220AB

Документация

Документы пока не предоставлены.