Антава

ONSEMI

Транзистор FQP2N80

FQP2N80
Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
800V
Drain current
1.52A
Pulsed drain current
9.6A
Power dissipation
85W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяFQP2N80
ПроизводительONSEMI
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage800V
Drain current1.52A
Pulsed drain current9.6A
Power dissipation85W
КорпусTO220AB
Gate-source voltage±30V
On-state resistance6.3Ω
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge15nC
Kind of packagetube
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 1.52A; Idm: 9.6A; 85W; TO220AB

Документация

Документы пока не предоставлены.