Антава

ONSEMI

Транзистор FQP2N40-F080

FQP2N40-F080
Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
400 V
Drain current
1.14 A
Pulsed drain current
7.2 A
Power dissipation
40 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяFQP2N40-F080
ПроизводительONSEMI
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage400 V
Drain current1.14 A
Pulsed drain current7.2 A
Power dissipation40 W
КорпусTO220AB
Gate-source voltage±30 V
On-state resistance5.8 Ω
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge5.5nC
Kind of packagetube
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 1.14A; Idm: 7.2A; 40W; TO220AB

Документация

Документы пока не предоставлены.