Антава

ONSEMI

Транзистор FQP27P06

FQP27P06
Type of transistor
P-MOSFET
Технология
QFET®
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
-60 V
Drain current
-27 A
Корпус
TO220AB
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяFQP27P06
ПроизводительONSEMI
Type of transistorP-MOSFET
ТехнологияQFET®
Polarisationunipolar
Drain-source voltage-60 V
Drain current-27 A
КорпусTO220AB
Gate-source voltage±25 V
On-state resistance70 mΩ
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge43nC
Kind of packagetube
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -27A; TO220AB

Документация

Документ производителя