Антава

ONSEMI

Транзистор FQP17P06

FQP17P06
Type of transistor
P-MOSFET
Технология
QFET®
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
-60 V
Drain current
-12 A
Рассеиваемая мощность
79 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и предложение

Обновить наличие
Вариант поставкиДоступно к заказу 174 шт.

Цена и наличие обновляются Данные на

Последняя цена / шт. · с НДС 22%569,81 ₽

Сумма · с НДС 22%569,81 ₽

Проверяем актуальные условия

Без регистрации и оплаты. Менеджер подтвердит цену и срок поставки.

Оптовые цены и условия
КоличествоЦена / шт.Выбор
от 1569,81 ₽
от 5419,86 ₽
от 10337,39 ₽
от 50277,41 ₽

Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.

Характеристики

Артикул производителяFQP17P06
ПроизводительONSEMI
Type of transistorP-MOSFET
ТехнологияQFET®
Polarisationunipolar
Drain-source voltage-60 V
Drain current-12 A
Рассеиваемая мощность79 W
КорпусTO220AB
Gate-source voltage±25 V
On-state resistance0.12 Ω
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge27nC
Kind of packagetube
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -12A; 79W; TO220AB

Документация

Документ производителя