Антава

ONSEMI

Транзистор FQP15P12

FQP15P12
Type of transistor
P-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
-120 V
Drain current
-10.6 A
Pulsed drain current
-60 A
Рассеиваемая мощность
100 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и предложение

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяFQP15P12
ПроизводительONSEMI
Type of transistorP-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage-120 V
Drain current-10.6 A
Pulsed drain current-60 A
Рассеиваемая мощность100 W
КорпусTO220AB
Gate-source voltage±30 V
On-state resistance0.2 Ω
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge38nC
Kind of packagetube
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: P-MOSFET; unipolar; -120V; -10.6A; Idm: -60A; 100W

Документация

Документы пока не предоставлены.