Антава

ONSEMI

Транзистор FQP14N30

FQP14N30
Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
300 V
Drain current
9.1 A
Pulsed drain current
57.6 A
Power dissipation
147 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяFQP14N30
ПроизводительONSEMI
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage300 V
Drain current9.1 A
Pulsed drain current57.6 A
Power dissipation147 W
КорпусTO220AB
Gate-source voltage±30 V
On-state resistance0.29 Ω
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge40nC
Kind of packagetube
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 300V; 9.1A; Idm: 57.6A; 147W

Документация

Документы пока не предоставлены.