Антава

ONSEMI

Транзистор FQD9N25TM-F080

FQD9N25TM-F080
Type of transistor
N-MOSFET
Технология
QFET®
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
250 V
Drain current
4.7 A
Pulsed drain current
29.6 A
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и предложение

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяFQD9N25TM-F080
ПроизводительONSEMI
Type of transistorN-MOSFET
ТехнологияQFET®
Polarisationunipolar
Drain-source voltage250 V
Drain current4.7 A
Pulsed drain current29.6 A
Рассеиваемая мощность55 W
КорпусDPAK
Gate-source voltage±30 V
On-state resistance0.42 Ω
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge20nC
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 4.7A; Idm: 29.6A; 55W; DPAK

Документация

Документы пока не предоставлены.