Антава

ONSEMI

Транзистор FQD8P10TM

FQD8P10TM
Type of transistor
P-MOSFET
Технология
QFET®
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
-100 V
Drain current
-4.2 A
Рассеиваемая мощность
44 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и предложение

Обновить наличие
Вариант поставкиДоступно к заказу 1 416 шт.

Срок: 6–7 недель Данные на

Цена / шт. · с НДС 22%163,18 ₽

Сумма · с НДС 22%163,18 ₽

От 1 шт.

Без регистрации и оплаты. Менеджер подтвердит цену и срок поставки.

Оптовые цены и условия
КоличествоЦена / шт.Выбор
от 1163,18 ₽
от 5138,08 ₽
от 10128,21 ₽
от 50106,70 ₽
от 10097,73 ₽
от 50076,39 ₽
от 100072,09 ₽

Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.

Характеристики

Артикул производителяFQD8P10TM
ПроизводительONSEMI
Type of transistorP-MOSFET
ТехнологияQFET®
Polarisationunipolar
Drain-source voltage-100 V
Drain current-4.2 A
Рассеиваемая мощность44 W
КорпусDPAK
Gate-source voltage±30 V
On-state resistance530 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge15nC
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -4.2A; 44W; DPAK

Документация

Документ производителя