Антава

ONSEMI

Транзистор FQD8P10TM-F085

FQD8P10TM-F085
Type of transistor
P-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
-100 V
Drain current
-4.2 A
Pulsed drain current
-26.4 A
Power dissipation
44 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяFQD8P10TM-F085
ПроизводительONSEMI
Type of transistorP-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage-100 V
Drain current-4.2 A
Pulsed drain current-26.4 A
Power dissipation44 W
КорпусDPAK
Gate-source voltage±30 V
On-state resistance530 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge15nC
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
Applicationautomotive industry
Исходное описание поставщика

Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -4.2A; Idm: -26.4A; 44W; DPAK

Документация

Документы пока не предоставлены.