Антава

ONSEMI

Транзистор FQD7P20TM

FQD7P20TM
Type of transistor
P-MOSFET
Технология
QFET®
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
-200 V
Drain current
-3.6 A
Power dissipation
55 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяFQD7P20TM
ПроизводительONSEMI
Type of transistorP-MOSFET
ТехнологияQFET®
Polarisationunipolar
Drain-source voltage-200 V
Drain current-3.6 A
Power dissipation55 W
КорпусDPAK
Gate-source voltage±30 V
On-state resistance690 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge25nC
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: P-MOSFET; unipolar; -200V; -3.6A; 55W; DPAK

Документация

Документ производителя