Антава

ONSEMI

Транзистор FQD7N20LTM

FQD7N20LTM
Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
200 V
Drain current
3.48 A
Pulsed drain current
22 A
Power dissipation
45 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяFQD7N20LTM
ПроизводительONSEMI
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage200 V
Drain current3.48 A
Pulsed drain current22 A
Power dissipation45 W
КорпусDPAK
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance780 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge9nC
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 3.48A; Idm: 22A; 45W; DPAK

Документация

Документы пока не предоставлены.