Антава

ONSEMI

Транзистор FQD6N50CTM

FQD6N50CTM
Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
500 V
Drain current
2.7 A
Pulsed drain current
18 A
Power dissipation
61 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяFQD6N50CTM
ПроизводительONSEMI
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage500 V
Drain current2.7 A
Pulsed drain current18 A
Power dissipation61 W
КорпусDPAK
Gate-source voltage±30 V
On-state resistance1.2 Ω
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge25nC
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 2.7A; Idm: 18A; 61W; DPAK

Документация

Документы пока не предоставлены.