Антава

ONSEMI

Транзистор FQD6N25TM

FQD6N25TM
Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
250 V
Drain current
2.6 A
Pulsed drain current
17.6 A
Power dissipation
45 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяFQD6N25TM
ПроизводительONSEMI
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage250 V
Drain current2.6 A
Pulsed drain current17.6 A
Power dissipation45 W
КорпусDPAK
Gate-source voltage±30 V
On-state resistance1 Ω
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge8.5nC
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 2.6A; Idm: 17.6A; 45W; DPAK

Документация

Документы пока не предоставлены.