Антава

ONSEMI

Транзистор FQD5P20TM

FQD5P20TM
Type of transistor
P-MOSFET
Technology
QFET®
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
-200V
Drain current
-2.34A
Power dissipation
45W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяFQD5P20TM
ПроизводительONSEMI
Type of transistorP-MOSFET
TechnologyQFET®
Polarisationunipolar
Drain-source voltage-200V
Drain current-2.34A
Power dissipation45W
КорпусDPAK
Gate-source voltage±30V
On-state resistance1.4Ω
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge13nC
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: P-MOSFET; unipolar; -200V; -2.34A; 45W; DPAK

Документация

Документ производителя