Антава

ONSEMI

Транзистор FQD5N60CTM

FQD5N60CTM
Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
600 V
Drain current
1.8 A
Power dissipation
49 W
Корпус
DPAK
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяFQD5N60CTM
ПроизводительONSEMI
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage600 V
Drain current1.8 A
Power dissipation49 W
КорпусDPAK
Gate-source voltage±30 V
On-state resistance2.5 Ω
МонтажSMD — поверхностный
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 1.8A; 49W; DPAK

Документация

Документы пока не предоставлены.