Антава

ONSEMI

Транзистор FQD4N20TM

FQD4N20TM
Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
200V
Drain current
1.95A
Pulsed drain current
12A
Power dissipation
30W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяFQD4N20TM
ПроизводительONSEMI
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage200V
Drain current1.95A
Pulsed drain current12A
Power dissipation30W
КорпусDPAK
Gate-source voltage±30V
On-state resistance1.4Ω
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge6.5nC
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 1.95A; Idm: 12A; 30W; DPAK

Документация

Документы пока не предоставлены.