Антава

ONSEMI

Транзистор FQD3P50TM

FQD3P50TM
Type of transistor
P-MOSFET
Технология
QFET®
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
-500 V
Drain current
-1.33 A
Рассеиваемая мощность
50 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и предложение

Обновить наличие
Вариант поставкиДоступно к заказу 1 475 шт.

Срок: 6–7 недель Данные на

Цена / шт. · с НДС 22%393,40 ₽

Сумма · с НДС 22%393,40 ₽

От 1 шт.

Без регистрации и оплаты. Менеджер подтвердит цену и срок поставки.

Оптовые цены и условия
КоличествоЦена / шт.Выбор
от 1393,40 ₽
от 10158,08 ₽
от 25149,10 ₽
от 50145,50 ₽
от 100141,91 ₽
от 250134,73 ₽

Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.

Характеристики

Артикул производителяFQD3P50TM
ПроизводительONSEMI
Type of transistorP-MOSFET
ТехнологияQFET®
Polarisationunipolar
Drain-source voltage-500 V
Drain current-1.33 A
Рассеиваемая мощность50 W
КорпусDPAK
Gate-source voltage±30 V
On-state resistance4.9 Ω
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge23nC
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: P-MOSFET; unipolar; -500V; -1.33A; 50W; DPAK

Документация

Документ производителя