Антава

ONSEMI

Транзистор FQD30N06TM

FQD30N06TM
Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
60V
Drain current
14.3A
Pulsed drain current
90.8A
Power dissipation
44W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяFQD30N06TM
ПроизводительONSEMI
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage60V
Drain current14.3A
Pulsed drain current90.8A
Power dissipation44W
КорпусDPAK
Gate-source voltage±25V
On-state resistance45mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge25nC
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 14.3A; Idm: 90.8A; 44W; DPAK

Документация

Документы пока не предоставлены.