ONSEMI

Транзистор FQD2P40TM

FQD2P40TM

Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -400 V
Drain current: -0.98 A
Pulsed drain current: -6.24 A
Power dissipation: 38 W

Цены и наличие Все характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену +7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителя	FQD2P40TM
Производитель	ONSEMI
Type of transistor	P-MOSFET
Polarisation	unipolar
Drain-source voltage	-400 V
Drain current	-0.98 A
Pulsed drain current	-6.24 A
Power dissipation	38 W
Корпус	DPAK
Gate-source voltage	±30 V
On-state resistance	6.5 Ω
Монтаж	SMD — поверхностный
Gate charge	13nC
Kind of package	reel, tape
Kind of channel	enhancement

Исходное описание поставщика

Transistor: P-MOSFET; unipolar; -400V; -0.98A; Idm: -6.24A; 38W

Документация

Документы пока не предоставлены.