Антава

ONSEMI

Транзистор FQD1N80TM

FQD1N80TM
Type of transistor
N-MOSFET
Технология
QFET®
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
800 V
Drain current
0.63 A
Power dissipation
45 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие
Вариант поставкиДоступно к заказу 1 024 шт.

Цена и наличие обновляются Данные на

Последняя цена / шт. · с НДС 22%175,67 ₽

Сумма · с НДС 22%175,67 ₽

Проверяем актуальные условия

Оптовые цены и условия
КоличествоЦена / шт.Выбор
от 1175,67 ₽
от 10127,55 ₽
от 50120,68 ₽
от 100116,28 ₽
от 500106,35 ₽
от 100097,19 ₽
от 250085,54 ₽
от 500076,57 ₽
от 750074,66 ₽

Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.

Характеристики

Артикул производителяFQD1N80TM
ПроизводительONSEMI
Type of transistorN-MOSFET
ТехнологияQFET®
Polarisationunipolar
Drain-source voltage800 V
Drain current0.63 A
Power dissipation45 W
КорпусDPAK
Gate-source voltage±30 V
On-state resistance20 Ω
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge7.2nC
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 0.63A; 45W; DPAK

Документация

Документ производителя