Антава

ONSEMI

Транзистор FQD19N10TM

FQD19N10TM
Type of transistor
N-MOSFET
Technology
QFET®
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
100V
Drain current
9.8A
Pulsed drain current
62.4A
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяFQD19N10TM
ПроизводительONSEMI
Type of transistorN-MOSFET
TechnologyQFET®
Polarisationunipolar
Drain-source voltage100V
Drain current9.8A
Pulsed drain current62.4A
Power dissipation50W
КорпусDPAK
Gate-source voltage±25V
On-state resistance0.1Ω
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge25nC
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 9.8A; Idm: 62.4A; 50W; DPAK

Документация

Документы пока не предоставлены.