Антава

ONSEMI

Транзистор FQD19N10LTM

FQD19N10LTM
Type of transistor
N-MOSFET
Технология
QFET®
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
100 V
Drain current
9.8 A
Power dissipation
50 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие
Вариант поставкиДоступно к заказу 1 460 шт.

Цена и наличие обновляются Данные на

Последняя цена / шт. · с НДС 22%321,01 ₽

Сумма · с НДС 22%321,01 ₽

Проверяем актуальные условия

Оптовые цены и условия
КоличествоЦена / шт.Выбор
от 1321,01 ₽
от 5221,48 ₽
от 10189,76 ₽
от 50138,85 ₽
от 100124,04 ₽
от 500104,28 ₽
от 1000102,57 ₽

Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.

Характеристики

Артикул производителяFQD19N10LTM
ПроизводительONSEMI
Type of transistorN-MOSFET
ТехнологияQFET®
Polarisationunipolar
Drain-source voltage100 V
Drain current9.8 A
Power dissipation50 W
КорпусDPAK
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance0.11 Ω
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge18nC
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 9.8A; 50W; DPAK

Документация

Документ производителя