Антава

ONSEMI

Транзистор FQD18N20V2TM

FQD18N20V2TM
Type of transistor
N-MOSFET
Технология
QFET®
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
200 V
Drain current
9.75 A
Power dissipation
83 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие
Вариант поставкиДоступно к заказу 1 681 шт.

Срок: 6–7 недель Данные на

Цена / шт. · с НДС 22%318,42 ₽

Сумма · с НДС 22%318,42 ₽

От 1 шт.

Оптовые цены и условия
КоличествоЦена / шт.Выбор
от 1318,42 ₽
от 10198,30 ₽
от 50165,88 ₽
от 100154,44 ₽
от 250143,00 ₽
от 500135,38 ₽

Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.

Характеристики

Артикул производителяFQD18N20V2TM
ПроизводительONSEMI
Type of transistorN-MOSFET
ТехнологияQFET®
Polarisationunipolar
Drain-source voltage200 V
Drain current9.75 A
Power dissipation83 W
КорпусDPAK
Gate-source voltage±30 V
On-state resistance0.14 Ω
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge26nC
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 9.75A; 83W; DPAK

Документация

Документ производителя