Антава

ONSEMI

Транзистор FQD17P06TM

FQD17P06TM
Type of transistor
P-MOSFET
Технология
QFET®
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
-60 V
Drain current
-7.6 A
Рассеиваемая мощность
44 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и предложение

Обновить наличие
Вариант поставкиДоступно к заказу 392 шт.

Срок: 6–7 недель Данные на

Цена / шт. · с НДС 22%313,53 ₽

Сумма · с НДС 22%313,53 ₽

От 1 шт.

Без регистрации и оплаты. Менеджер подтвердит цену и срок поставки.

Оптовые цены и условия
КоличествоЦена / шт.Выбор
от 1313,53 ₽
от 5238,57 ₽
от 10205,41 ₽
от 50146,67 ₽
от 100129,37 ₽
от 500103,79 ₽
от 1000100,36 ₽

Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.

Характеристики

Артикул производителяFQD17P06TM
ПроизводительONSEMI
Type of transistorP-MOSFET
ТехнологияQFET®
Polarisationunipolar
Drain-source voltage-60 V
Drain current-7.6 A
Рассеиваемая мощность44 W
КорпусDPAK
Gate-source voltage±25 V
On-state resistance135 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge27nC
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -7.6A; 44W; DPAK

Документация

Документ производителя