Антава

ONSEMI

Транзистор FQD16N25CTM

FQD16N25CTM
Type of transistor
N-MOSFET
Технология
QFET®
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
250 V
Drain current
10.1 A
Рассеиваемая мощность
160 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и предложение

Обновить наличие
Вариант поставкиДоступно к заказу 4 837 шт.

Срок: 6–7 недель Данные на

Цена / шт. · с НДС 22%351,75 ₽

Сумма · с НДС 22%351,75 ₽

От 1 шт.

Без регистрации и оплаты. Менеджер подтвердит цену и срок поставки.

Оптовые цены и условия
КоличествоЦена / шт.Выбор
от 1351,75 ₽
от 10207,75 ₽
от 25179,35 ₽
от 50161,58 ₽
от 100146,56 ₽
от 250129,89 ₽
от 500119,26 ₽
от 1000112,30 ₽
от 2500107,72 ₽

Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.

Характеристики

Артикул производителяFQD16N25CTM
ПроизводительONSEMI
Type of transistorN-MOSFET
ТехнологияQFET®
Polarisationunipolar
Drain-source voltage250 V
Drain current10.1 A
Рассеиваемая мощность160 W
КорпусDPAK
Gate-source voltage±30 V
On-state resistance0.27 Ω
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge53.5nC
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 10.1A; 160W; DPAK

Документация

Документ производителя