Антава

ONSEMI

Транзистор FQD13N10TM

FQD13N10TM
Type of transistor
N-MOSFET
Технология
QFET®
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
100 V
Drain current
6.3 A
Power dissipation
40 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяFQD13N10TM
ПроизводительONSEMI
Type of transistorN-MOSFET
ТехнологияQFET®
Polarisationunipolar
Drain-source voltage100 V
Drain current6.3 A
Power dissipation40 W
КорпусDPAK
Gate-source voltage±25 V
On-state resistance0.18 Ω
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge16nC
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 6.3A; 40W; DPAK

Документация

Документ производителя