Антава

ONSEMI

Транзистор FQD13N10LTM

FQD13N10LTM
Type of transistor
N-MOSFET
Технология
QFET®
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
100 V
Drain current
6.3 A
Рассеиваемая мощность
40 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и предложение

Обновить наличие
Вариант поставкиДоступно к заказу 731 шт.

Срок: 6–7 недель Данные на

Цена / шт. · с НДС 22%177,31 ₽

Сумма · с НДС 22%177,31 ₽

От 1 шт.

Без регистрации и оплаты. Менеджер подтвердит цену и срок поставки.

Оптовые цены и условия
КоличествоЦена / шт.Выбор
от 1177,31 ₽
от 10123,39 ₽
от 25106,39 ₽
от 5094,99 ₽
от 10085,04 ₽
от 25074,72 ₽
от 50068,57 ₽
от 100063,51 ₽
от 250059,34 ₽
от 500057,35 ₽

Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.

Характеристики

Артикул производителяFQD13N10LTM
ПроизводительONSEMI
Type of transistorN-MOSFET
ТехнологияQFET®
Polarisationunipolar
Drain-source voltage100 V
Drain current6.3 A
Рассеиваемая мощность40 W
КорпусDPAK
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance0.2 Ω
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge12nC
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 6.3A; 40W; DPAK

Документация

Документ производителя