Антава

ONSEMI

Транзистор FQD13N06LTM

FQD13N06LTM
Type of transistor
N-MOSFET
Technology
QFET®
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
60V
Drain current
7A
Power dissipation
28W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяFQD13N06LTM
ПроизводительONSEMI
Type of transistorN-MOSFET
TechnologyQFET®
Polarisationunipolar
Drain-source voltage60V
Drain current7A
Power dissipation28W
КорпусDPAK
Gate-source voltage±20V
On-state resistance0.145Ω
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge6.4nC
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 7A; 28W; DPAK

Документация

Документ производителя